库房低温，通风，干燥；防火；防震动，防摩擦，防冲击。

氮化铜晶胞属于反三氧化铼（anti-ReO₃）型立方结构，空间群为Pm3m（221）,Cu原子占据立方晶胞边线的中心，N原子占据立方晶胞的顶点, 由于Cu原子未能占据晶格（111）面的紧密位置，在立方结构中留下了许多空隙，使得这种结构极为特别，当Cu原子或者其他原子填充到这些空隙位置，会引起薄膜光学和电学等性质的显著变化。

一：以铜氧化物、铜盐为原料加入到耐高压反应器中，排出反应器内空气后，同时向反应器中加入溶剂介质以及氮化剂，对反应器进行加热升温至50-350℃，反应器压力保持在0.1-35.0Mpa，并在该状态下反应0.5-5.0h，在加热状态下，降低反应器内压力至0-0.5Mpa，分离出固体粉末，即得到粉末状氮化铜。该方法在超（近）临界体系中制备氮化铜粉体，制备过程简单，制备方法对原料的适用性强，所得氮化铜较纯净。

二：用铜靶材作为溅射源，采用磁控溅射方式，可制得氮化铜薄膜。

氮化铜是一种在常温下处于亚稳态的半导体材料，它的热分解温度仅为300-450℃，有较高的电阻率以及在红外光和可见光波段有较低的反射率，已成为目前光电存储和电子集成领域中倍受人们青睐的新材料。

（1）光存储

氮化铜薄膜的低温热分解特性和可见光、红外波段反射率低的特点，为它在光存储的应用创造了可能性。经过热处理后的氮化铜薄膜的反射率明显增加，曲线与直接溅射得到的Cu膜较为接近：尤其在765nm处，氮化铜薄膜的反射率从20.5%增大到86.5%，这与Cu膜的88.4%非常接近。这说明氮化铜薄膜在此光波段反射系数的明显差异，为氮化铜薄膜成为新型光记录介质提供了极大的可能。

（2）太阳能电池

太阳能电池是半导体材料与新型材料在应用领域的最重要目标之一，氮化铜薄膜就具有在这一领域的潜力：采用调节氮化用薄膜中化学成分配比的手段，能够优化它的光学带隙使得光伏电压可以达到最大。

（3）金属化的应用

当对氮化铜薄膜加热或用电子束、离子束、光线照射到薄膜表面时，它就会有金属铜产生。

（4）锂电池负极材料

由于氮化铜的可多种离子掺杂特性，其有可能成为一种性能优异的锂电池负极材料。