列举一些氮化锆的合成方法

一、以镁为还原剂、氨气中还原氮化纳米ZrO₂粉末，在1000℃保温6h成功合成了30～100nm的纯相立方ZrN粉体。

二、采用Zr和ZrO₂作为主要原料，Y₂O₃作为添加剂在空气中燃烧，并将燃烧产物进行淬火制备出ZrN粉末，该方法在空气中容易合成ZrN，但淬火时间需要精确控制，合成的ZrN的纯度不高。

三、采用铝热还原法制备氮化锆，在1400℃保温6h和0.4MPa的氮气压力下由ZrO₂-Al-CaCO₃反应合成纯度较高的氮化锆。

四、 使用微波与高压釜合成ZrN粉末，该方法采用氯化锆和叠氮化钠作为主要原料、异丙醇作为溶剂，在混合器中进行混合1小时。将混合物置于干燥箱中抽真空至10^-3Pa，并在50℃下保温10h，之后在混合物中加入二甲苯，通过高压釜法在250℃下保温24小时，并进行微波加热1小时合成氮化锆。

五、将30～35wt%的氧化锆粉、20～25wt%的还原剂、28～31wt%的六水氯化镁和15～17wt%的氯化钠混合，得到混合料；然后在氮气气氛条件下，以3～5℃/min的速率将所述混合料升温至700～1100℃，保温2～3h，自然冷却，得到氮化产物；再将所述氮化产物加入盐酸溶液中浸泡1～2h，用蒸馏水洗涤3～4次，在110℃条件下烘干，即得基于低温还原的立方氮化锆粉体。

1、热耐磨材料；

2、作为贮酸容器；

3、高温陶瓷导电材料；

4、高电阻的薄膜电阻器；

5、珠宝行业中用来做装饰膜；

6、纳米复合硬质刀具，硬质合金；

7、在半导体工业中的铜硅接触扩散阻碍层；

8、用于制造热压坩埚，炼制金属铝、铋、镉、铅、锡；

9、弥散强化材料，主要应用在五金、建材、卫浴等日用五金工件上面；

产品应密封保存于干燥、阴凉的环境中，不宜长久暴露于空气中，防受潮发生团聚，影响分散性能和使用效果，另应避免重压，勿与氧化剂接触，按照普通货物运输。