氮化硅分为α，β，γ三种晶型，α是低温相（1350-1450℃生成）, 温度达到1500℃以上α会转化成β, α和β相往往是共生的，γ相只有在极高温高压下才能获得。

一、采用硅粉在氮气气氛下1300-1400℃下合成，如果有铁作为催化剂，反应速度会加快，一般几个小时可以完成。

                                                 3 Si+2 N₂→Si₃N₄

二、采用SiCl₄和氨气在低温下首先生成亚氨基硅，然后再高温分解合成超细Si₃N₄

                    SiCl₄(l)+6 NH₃(g)→Si(NH)₂(s)+4 NH₄Cl(s)  在0℃的条件下

                     3 Si(NH)₂(s)→Si₃N₄(s)+N₂(g)+3 H₂(g)  在1000℃的条件下

三、采用SiO₂，加入碳粉，在氮气气氛下，首先被还原，然后再被氮化成Si₃N₄，此过程是碳热反应，是最早应用的生产氮化硅的方法，也是目前生产高纯氮化硅粉末成本最低方法。

                                      3 SiO₂+6 C+2 N₂→Si₃N₄+6 CO

四、电子级的氮化硅薄膜是采用CVD的方式制备的，原料一般采用硅烷和氨气，二者反应生成氮化硅薄膜，一般采用LPCVD和PECVD技术，所制备的氮化硅薄膜是多孔的非晶结构。

                               3 SiH₄(g)+4 NH₃(g)→Si₃N₄(s)+12 H₂(g)

                              3 SiCl₄(g)+4 NH₃(g)→Si₃N₄(s)+12 HCl(g)

                       3 SiCl₂H₂(g)+4 NH₃(g)→Si₃N₄(s)+6 HCl(g)+6 H₂(g)

  如果加入一定的助熔剂，可以实现在较低的温度下烧结氮化硅陶瓷，放电等离子体烧结（SPS）是非常有效的烧结方式，因为烧结过程只有几秒钟时间，SPS可以在1500-1700℃范围内实现陶瓷件的烧结。

  氮化硅陶瓷之所以没有得到广泛的应用，其原因是成本高，而不是性能的问题，例如氮化硅轴承的性能已经全面超过金属轴承，其成本降低和市场份额提高是呈现规则的反比关系。

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